+ 3.08% + 0.68%

　　作者:Heekyong Yang

　　路透首尔9月29日电- - -五位知情人士称，三星电子(KS:005930)计划采用竞争对手SK海力士(SK Hynix)倡导的芯片制造技术，这家全球最大的存储芯片制造商正寻求在生产用于人工智能的高端芯片的竞争中迎头赶上。

　　随着生成式人工智能的日益普及，对高带宽存储器(HBM)芯片的需求激增。但与同行SK海力士和美光科技(纳斯达克股票代码:MU)不同，三星在与人工智能芯片领导者英伟达(纳斯达克股票代码:NVDA)的任何交易中都缺席，以提供最新的HBM芯片。

　　分析人士和业内观察人士认为，三星电子落后的原因之一是，它决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电薄膜(NCF)芯片制造技术，而海力士则转向大规模回流模压下填充(mrm - muf)方法来解决NCF的弱点。

　　不过，据三名直接知情人士透露，三星最近已经下达了用于MUF技术的芯片制造设备的采购订单。

　　“三星必须采取措施提高HBM(生产)产量……对三星来说，采用MUF技术是一件有点忍辱没有的事情，因为它最终采用了SK海力士最初使用的技术。”

　　据几位分析师称，三星的HBM3芯片的产率约为10-20%，而SK海力士的HBM3的产率约为60-70%。

　　HBM3和HBM3E是最新版本的HBM芯片，需求量很大。它们与核心微处理器芯片捆绑在一起，帮助处理生成式人工智能中的大量数据。

　　一位消息人士称，三星还在与包括日本的Nagase在内的材料制造商就MUF材料的采购进行谈判，并补充称，使用MUF的高端芯片的大规模生产最早可能要到明年才能准备好，因为三星需要进行更多的测试。

　　三位消息人士还表示，三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。

　　三星表示，内部开发的NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，将用于新的HBM3E芯片。三星在一份声明中表示:“我们正在按计划开展HBM3E产品业务。”

　　英伟达和永濑均拒绝置评。

　　由于信息不公开，所有消息来源都要求匿名。

　　三星使用MUF的计划凸显了它在人工智能芯片竞争中面临的越来越大的压力，根据研究公司TrendForce的数据，在人工智能相关需求的推动下，HBM芯片市场今年将增长一倍以上，达到近90亿美元。

　　NCF和muf

　　非导电薄膜芯片制造技术已被芯片制造商广泛用于在紧凑的高带宽存储芯片组中堆叠多层芯片，因为使用热压缩薄膜有助于减少堆叠芯片之间的空间。

　　但随着层数的增加，制造变得复杂，粘合材料也经常出现问题。三星表示，其最新的HBM3E芯片有12个芯片层。芯片制造商一直在寻找解决这些弱点的替代方案。

　　SK海力士率先成功转向大规模回流模压下填充技术，成为第一家向英伟达提供HBM3芯片的供应商。

　　KB Securities分析师杰夫?金(Jeff Kim)估计，SK海力士今年在为英伟达提供的HBM3和更先进的HBM产品中所占的市场份额将超过80%。

　　美光上个月加入了高带宽存储芯片的竞争，宣布其最新的HBM3E芯片将被英伟达采用，为后者的H200 Tensor芯片提供动力，该芯片将于第二季度开始发货。

　　据上述四位消息人士中的一位和另一位知情人士透露，三星的HBM3系列尚未通过英伟达的供货资格。

　　它在人工智能芯片竞赛中的挫折也被投资者注意到了，其股价今年下跌了7%，落后于SK海力士和美光，后者分别上涨了17%和14%。